特許
J-GLOBAL ID：200903020825015848
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109047
公開番号（公開出願番号）：特開平7-098988
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 EEPROMの大容量化及び経時的劣化を補いデータ読み出しの信頼性を向上させる。【構成】 読み出される信号電圧を異なるしきい値で比較する2種の比較手段で比較して選択的に出力する。プログラム時、2ビット以上のデータの組み合わせに応じて4値以上のプログラム電圧を発生し、選択されたメモリセル243〜274に4値以上のしきい値電圧を記憶させるプログラム回路120と、各メモリセルに書き込まれたデータを復元するに必要な個数よりも多くのしきい値検出レベルを有し、読み出し時、これらの検出レベルと、選択されたメモリセル243〜274のしきい値電圧との比較照合を行うことにより、選択されたメモリセル243〜274に書き込まれたデータに、書き込み後の当該メモリセルのしきい値電圧の変化状態を検出するための情報を付加した形で取り出すセンス回路123を設ける。
請求項（抜粋）：
電気的にプログラムが可能な不揮発性を有する半導体記憶装置であって、読み出し時において選択されたメモリセルから読み出された信号電圧を第1のしきい値電圧と比較する第1の比較手段を有し、比較結果をデジタル出力信号として出力する不揮発性半導体記憶装置において、前記選択されたメモリセルから読み出された前記信号電圧を、前記第1のしきい値電圧とは異なる第2のしきい値電圧と比較する第2の比較手段と、この第2の比較手段の出力を選択的に出力する出力手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
G11C 16/04
, G11C 16/06
, G11C 29/00
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
