化合物半導体デバイス用基板およびそれを用いた化合物半導体デバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-264212
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085123
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】窒化物半導体単結晶膜を有する化合物半導体デバイスにおいて、高耐圧かつ低損失であり、HEMT等に好適に用いられる化合物半導体デバイス用基板およびそれを用いた化合物半導体デバイスを提供する。【解決手段】導電性SiC単結晶2上に、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層(0<x≦1)3aおよび厚さ3〜250nmのAlyGa1-yN単結晶層(0≦y<1、x≠y)3bが交互に5〜500組繰り返し積層されている多層単結晶層3と、厚さ0.5〜5μmのGaN単結晶層4と、デバイス活性層5とを順次積層した化合物半導体デバイス用基板に、ショットキー電極およびオーミック電極6を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性SiC単結晶上に、厚さ3〜250nmのAlxGa1-xN単結晶層(0<x≦1)および厚さ3〜250nmのAlyGa1-yN単結晶層(0≦y<1、x≠y)が交互に5〜500組繰り返し積層されている多層単結晶層と、厚さ0.5〜5μmのGaN単結晶層と、デバイス活性層とが順次積層されていることを特徴とする化合物半導体デバイス用基板。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/30 , C23C 16/34 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (4件)：

H01L21/205 , C23C16/30 , C23C16/34 , H01L29/80 H

Fターム (46件)：

4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA37 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB06 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB06 , 5F045BB12 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F102FA01 , 5F102GB00 , 5F102GC00 , 5F102GD00 , 5F102GJ02 , 5F102GK02 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-248735 出願人：サンケン電気株式会社

審査官引用 (7件)

窒素化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-026295 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-248735 出願人：サンケン電気株式会社
化合物半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-101084 出願人：株式会社東芝

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