特許
J-GLOBAL ID：200903020826661212
ホトダイオード内蔵半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-068387
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260715
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 分離領域に隣接して低不純物濃度の領域を設けることにより、ホトダイオードの寄生容量を減じ高速応答性を実現する。【解決手段】 エピタキシャル層12を半導体基板11まで到達するP+型分離領域13で分離した島領域14を形成し、この島領域14にホトダイオードを形成する。分離領域13に隣接して分離領域13より低不純物濃度のP-型ウェル領域24を形成し、P-ウェル領域24内部にも空乏層25が広がる構造とする。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された逆導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシヤル層を貫通して前記エピタキシャル層を複数の島領域に分離する一導電型の分離領域と、前記島領域と前記分離領域との、および前記分離領域と前記基板とのPN接合をホトダイオードとして、このホトダイオードを逆バイアスするように前記島領域と前記分離領域に各々電位を印加する電極とを具備するホトダイオード内蔵半導体集積回路において、前記分離領域と前記島領域との間に、前記分離領域より低不純物濃度の一導電型のウェル領域を形成したことを特徴とするホトダイオード内蔵半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
