特許

J-GLOBAL ID：200903020832741023

化合物半導体製造方法及び半導体デバイス

発明者： 井川 聖史 ,  山本 正美
出願人/特許権者： 株式会社クボタ
代理人 (1件)： 北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141249
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331944
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 良好な吸収変化特性や屈折率変化特性のAlGaAs/GaAs系化合物半導体薄膜を作製可能な化合物半導体製造方法、及び、高性能なフォトリフラクティブ素子或いは光スイッチを提供する。【解決手段】 (411)A面のGaAs基板を用い、基板温度が200〜300°C、V/III比が4〜7で、AlGaAs/GaAs系化合物半導体薄膜を成長させる。また、フォトリフラクティブ効果または光スイッチ機能を有する半導体デバイスが当該AlGaAs/GaAs系化合物半導体薄膜を備える。

請求項（抜粋）：

(411)A面のGaAs基板を用い、基板温度が200〜300°C、V/III比が4〜10で、III-V族化合物半導体薄膜を成長させることを特徴とする化合物半導体製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A

Fターム (6件)：

5F045AB09 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045EE12