薄膜トランジスタ回路および画像表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：原謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-046511
公開番号（公開出願番号）：特開平9-073102
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】動作速度、保持特性等の点で薄膜トランジスタ回路の特性を大幅に向上させる。【解決手段】絶縁性基板11上に複数の薄膜トランジスタを形成して薄膜トランジスタ回路を構成する。この薄膜トランジスタにおいて、活性層となる多結晶シリコン薄膜12のチャネル領域12aを間においてゲート電極16と対向するように導電性電極14を配置する。また、この導電性電極14に同一の一定電圧を印加する。導電性電極14への電圧の印加により閾値電圧をシフトさせれば、nチャネル型トランジスタの閾値電圧の絶対値とpチャネル型トランジスタの閾値電圧の絶対値とをほぼ等しくすることができる。また、薄膜トランジスタのチャネル長、薄膜トランジスタが構成する回路の種類、薄膜トランジスタに印加される電圧等に応じても閾値電圧を適正に設定することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された複数の薄膜トランジスタにより構成され、活性層のチャネル領域を間においてゲート電極と対向するように導電性電極が配置されており、この導電性電極に同一の一定電圧が印加されることを特徴とする薄膜トランジスタ回路。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/133 550 , G09G 3/36 , H01L 27/12 , H01L 29/786

FI (5件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/133 550 , G09G 3/36 , H01L 27/12 A , H01L 29/78 617 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-029965
特開昭63-280457
特開平4-037169

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