特許

J-GLOBAL ID：200903020847842799

誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ

発明者： 神垣 耕世 ,  永仮 尚謙 ,  南部 信次
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-316448
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045469
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】高誘電率で、温度変化率が小さく、かつDCバイアス特性が良好な誘電体薄膜およびセラミックコンデンサを提供する。【解決手段】金属元素としてBa,Ti,Biを含有するペロブスカイト型複合酸化物であって、これらの成分をBaTiBix O3 と表した時のxの範囲および平均結晶粒径dが、図1における点A,B,C,Dで囲む線分の範囲内にある誘電体薄膜であり、このような誘電体薄膜の両面にそれぞれ電極を形成してなるセラミックコンデンサである。

請求項（抜粋）：

金属元素としてBa、TiおよびBiを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、これらの金属元素酸化物のモル比による組成式をBaTiBix O3 と表した時のxおよびペロブスカイト結晶の平均結晶粒径d(μm)が、図1における点A-B-C-D-Aで囲まれる範囲内にあることを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (5件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/12 397

FI (5件)：

C04B 35/46 D ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/10