特許
J-GLOBAL ID：200903020850655258
電極膜形成方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103284
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299423
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は,電極膜形成方法及び装置の改良に関し,金属メッキ層の厚さのウェハ面内均一性を改善し,該金属メッキ処理の自動化を行う方法とその装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体ウェハ1の両面に導電層2を形成する工程と,該半導体ウェハをカソード電極6となる吸着パッド7により保持し,該半導体ウェハを該ウェハ面に垂直な軸の回りに回転する工程と,アノード電極4を通して,該半導体ウェハ面にメッキ液を噴流させて該ウェハの表面に金属層を形成する工程とを有するように構成し,並びに上記工程を実行するための金属メッキ層形成装置の要素を有するように構成する。
請求項（抜粋）：
電界メッキによって電極層を形成する電極膜形成方法において,該方法が半導体ウェハの両面に導電層を形成する工程と,該半導体ウェハをカソード電極となる吸着パッドにより保持し,該半導体ウェハを該ウェハ面に垂直な軸の回りに回転する工程と,アノード電極を通して,該半導体ウェハ面にメッキ液を噴流させて該ウェハの表面に金属層を形成する工程とを有することを特徴とする電極膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/321
, C25D 3/00
, H01L 21/288
