特許

J-GLOBAL ID：200903020852754873

相補型MOS半導体装置

発明者： 鷹巣 博昭 ,  小山内 潤
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-034197
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237524
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 低電圧動作が可能で低消費電力および高駆動能力を有する半導体装置の提供。【解決手段】 CMOSのゲート電極の導電型をNMOS、PMOSともにP型単極の多結晶シリコンないしはP型多結晶シリコンと高融点金属シリサイドの積層構造であるP型ポリサイド構造とし、PMOSは表面チャネル型であるため短チャネル化や低しきい値電圧化が可能であり、また埋込みチャネル型であるNMOSもしきい値制御用の不純物として拡散係数の小さい砒素を使えるため極めて浅い埋込みチャネルとなり短チャネル化や低しきい値電圧化が容易となり、さらに分圧回路やCR回路に用いられる抵抗体およびレーザートリミング用ヒューズをゲート電極と同一層の多結晶シリコンとする。

請求項（抜粋）：

Nチャネル型MOSトランジスターとPチャネル型MOSトランジスターと抵抗体とレーザートリミング用ヒューズとを有する相補型MOS半導体装置において、前記Nチャネル型MOSトランジスターのゲート電極の導電型がP型であり、前記Pチャネル型MOSトランジスターのゲート電極の導電型がP型であることを特徴とする相補型MOS半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/43

FI (10件)：

H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 21/82 F ,  H01L 27/04 P ,  H01L 27/04 V ,  H01L 27/04 B ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/62 G

Fターム (46件)：

4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104EE09 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG19 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F038AR09 ,  5F038AR10 ,  5F038AR28 ,  5F038AV02 ,  5F038AV06 ,  5F038AV15 ,  5F038BB04 ,  5F038BB05 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AB08 ,  5F048AB10 ,  5F048AC02 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BB16 ,  5F048BC03 ,  5F048BC06 ,  5F048BC07 ,  5F048BC18 ,  5F048BD05 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F064CC12 ,  5F064CC22 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF42