特許
J-GLOBAL ID：200903020853588403
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-271261
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033028
出願日： 2003年07月07日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】 半導体発光素子で発生した熱を外部に良好に放出させることができる半導体発光装置を提供する。【解決手段】 半導体発光素子2を第1の導体3のカップ状部分11に電気的及び機械的に結合する。半導体素子2の上面の電極をワイヤ22で第2の導体4に接続する。第1及び第2の導体3,4の幅広領域16、17、25を設ける。第1及び第2の導体3,4の回路基板21から突出する部分に溝18、26を設け、複数の突出部分19a〜19e、27a、27bを形成する。絶縁被覆体5を熱伝導率の高い第1の絶縁被覆体6と光透過性を有する第2の絶縁被覆体7とで構成する。第1の絶縁被覆体6を半導体発光素子2に接近させて配置する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を支持し且つ前記半導体発光素子に電気的に接続されている第1の部分と前記第1の部分を外部回路に接続するために前記第1の部分に連結され且つ前記第1の部分よりも薄く形成されている第2の部分とを有する第1の導体と、
前記半導体発光素子に接続された第2の導体と、
前記第1の導体の一部及び前記第2の導体の一部を被覆し且つ前記第1及び第2の導体を電気的に絶縁するものであって、実装面を有し且つこの実装面を基準にしたこの最高の高さ位置が前記第1の導体の前記第1の部分の最低の高さ位置よりも上に決定され且つ放熱性を有している第1の絶縁被覆体と、
前記半導体発光素子及び前記第1の導体の前記第1の部分の少なくとも一部を被覆し且つ光透過性を有し且つ前記第1の絶縁被覆体よりも小さい熱伝導率を有している第2の絶縁被覆体と
を備えていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA33
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA18
, 5F041DA25
, 5F041DA26
, 5F041DA43
