特許

J-GLOBAL ID：200903020854142263

シリコン誘電体界面の均一性の改善及び表面粗さの削減方法。

発明者： アントニオ エル、ピー、ロトンダロ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-344028
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222810
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 原子レベルで平滑なシリコン基材/ゲート誘電体界面を作るための方法を提供する。【解決手段】 本発明の方法によれば、誘電体層の形成に先立って、薄いアモルファス領域がシリコン基材の上表面で形成される。本方法は、I 上表面を備えたシリコン基材を設けるステップ、II 上表面をハロゲン種(halogen species)に被曝させることによって、上表面においてアモルファス領域を形成するステップ、及びIII アモルファス領域上に誘電体層を形成するステップを含む。

請求項（抜粋）：

シリコン表面と誘電体層間の平滑な界面を形成する方法であって、上表面を備えたシリコン基材を設けるステップ、前記上表面をハロゲン種(halogen species)に被曝させることによって、前記上表面においてアモルファス領域を形成するステップ、及び前記アモルファス領域上に誘電体層を形成するステップ、を含む、前記平滑な界面を形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (16件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BE02 ,  5F058BE10 ,  5F058BF52 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140CB01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-214467   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション