特許

J-GLOBAL ID：200903020854291730

キャパシタ及びその製造方法

発明者： 松橋 秀明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204930
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058295
出願日： 1993年08月19日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 大容量でリーク電流が少なく、経時的絶縁破壊(TDDB)寿命の長い、キャパシタ及びその製造方法を提供する。【構成】 キャパシタ絶縁膜であるTa2 O5 膜16を形成する前に、ポリシリコン膜の下部電極13a上に、薄いSiN膜14を形成した後、該SiN膜14の表面を酸化することによって極薄のSiO2 膜15を形成する。その後、Ta2 O5 膜16を形成する。極薄のSiO2 膜15は、高温熱処理に対し、SiN膜14とTa2 O5 膜16の反応を抑え、リーク電流を少なくし、かつTDDB寿命を長くする働きがある。

請求項（抜粋）：

不純物を含有するポリシリコン膜で形成された下部電極と、前記下部電極の表面が窒化されて形成された窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜上に形成されたキャパシタ絶縁膜であるタンタルオキサイド膜と、前記タンタルオキサイド膜上に形成された上部電極とを、備えたキャパシタにおいて、前記窒化シリコン膜と前記タンタルオキサイド膜との間に、該窒化シリコン膜の表面を酸化して形成した酸化シリコン膜を設けたことを特徴とするキャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J