特許

J-GLOBAL ID：200903020866435576

多層セラミック基板、高周波モジュール、及び多層セラミック基板の製造方法

発明者： 恩塚 安幾
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-062337
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252079
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】キャビティ側面へ導体層をメタライジングや、キャスタレーション構造の形成処理を不要として、多層セラミック基板のキャビティ側面や基板側面に導体層を形成する。【解決手段】第1のセラミック基板層6と、第1のセラミック基板層に積層されて、キャビティの形成された第2のセラミック基板層7と、第2のセラミック基板層に積層されるとともに、第2のセラミック基板層のキャビティ側面に沿って折れ曲がり表面導体層10の形成された突出片25を層の一部に有し、第2のセラミック基板のキャビティと連通するキャビティの形成された第3のセラミック基板層9とを備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1のセラミック基板層と、 上記第1のセラミック基板層に積層されて、キャビティの形成された第2のセラミック基板層と、 上記第2のセラミック基板層に積層されるとともに、上記第2のセラミック基板層のキャビティ側面に沿って折れ曲がり表面導体層の形成された突出片を層の一部に有し、上記第2のセラミック基板層のキャビティと連通するキャビティの形成された第3のセラミック基板層と、 を備えた多層セラミック基板。

IPC (3件)：

H01L23/13 ,  H01L23/08 ,  H05K3/46

FI (6件)：

H01L23/12 C ,  H01L23/08 C ,  H05K3/46 G ,  H05K3/46 H ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 Q

Fターム (21件)：

5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA32 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346AA51 ,  5E346BB04 ,  5E346BB07 ,  5E346BB11 ,  5E346BB15 ,  5E346BB16 ,  5E346CC16 ,  5E346DD12 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346FF42 ,  5E346FF45 ,  5E346GG08 ,  5E346HH31

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 高周波モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-254115   出願人：三菱電機株式会社
• 多数個取り基板のキャスタレーション構造の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-248511   出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス