特許

J-GLOBAL ID：200903020873518100

高純度ニッケルの製造方法及び薄膜形成用高純度ニッケル材料

発明者： 新藤 裕一朗 ,  鈴木 恒男
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 藤吉 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-332285
公開番号（公開出願番号）：特開平11-152592
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 ターゲット等の用途に適した、アルカリ金属元素、放射性元素、遷移金属元素はもとより炭素あるいはガス成分等の不純物をも最小限しか含まない高純度ニッケルを安定してかつ容易に製造できる方法を開発すること。【解決手段】 粗ニッケル原料を塩酸で溶解し塩酸濃度5〜12Nの塩化ニッケル水溶液とし、該塩化ニッケル水溶液を陰イオン交換樹脂と接触させ不純物金属イオンを吸着させた後、得られた液を蒸発乾固または濃縮した後、pH=0〜3の高純度塩化ニッケル水溶液とし、さらに活性炭により液中の有機物を除去し、該水溶液を電解液として電解精製により電析ニッケルを得る。

請求項（抜粋）：

粗ニッケル原料を塩酸で溶解し塩酸濃度5〜12Nの塩化ニッケル水溶液とし、該塩化ニッケル水溶液を陰イオン交換樹脂と接触させ不純物金属イオンを吸着させた後、得られた液を蒸発乾固または濃縮した後、pH=0〜3の高純度塩化ニッケル水溶液とし、さらに活性炭により液中の有機物を除去し、該水溶液を電解液として電解精製により電析ニッケルを得ることを特徴とする高純度ニッケルの製造方法。

IPC (4件)：

C25C 1/08 ,  C22B 23/06 ,  C22C 1/02 503 ,  C23C 14/34

FI (4件)：

C25C 1/08 ,  C22B 23/06 ,  C22C 1/02 503 G ,  C23C 14/34 A