特許
J-GLOBAL ID：200903020875250546
半導体装置の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-142475
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014822
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】チャンバー内に複数のガス吹き出し口を有する半導体装置の製造装置において、ガス吹き出し口の配置の変更が可能な機構を有することにより均一性の優れたエッチングを行う。【構成】上部電極カバー108の内部に第1の上下伸縮機構109,第2の上下伸縮機構110をそれぞれ有する第1のガスディストリビューション111,第2のガスディストリビューション112を動かすことによりガス吹き出し口の配置の変更を可能とする。【効果】膜種の違う膜を連続してエッチングを行う場合、各種の膜のエッチングについて、均一性が全も良好なガス吹き出し口の配置を設定することにより、均一性の優れたエッチングが可能となる。
請求項（抜粋）：
チャンバー内に複数のガス吹き出し口を具備した半導体装置の製造装置において、前記ガス吹き出し口の配置の変更が可能な機構を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
