特許

J-GLOBAL ID：200903020876014510

強誘電体薄膜およびその形成方法とこれを用いた強誘電体薄膜素子

発明者： 上田 路人 ,  飯島 賢二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-030043
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223403
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 Pt直上へ強誘電体薄膜であるPZT薄膜を形成する場合には、結晶化が不安定であり特性の得られるペロブスカイト構造が得られなくなるという課題を有していた。【解決手段】 Pt電極上へ配向制御層として、比較的低温の600°C前後でもPt上にペロブスカイトが得られる材料を配向制御層として用いる。また、非ペロブスカイト材料としては、酸素八面体構造を有する材料によってもPZTを安定にペロブスカイト構造とすることが可能である。特にこの場合、非酸化物(金属状態)でこれらの薄膜を形成した後に酸化処理を施すことで緻密な配向制御層を形成することができ、強誘電体薄膜の良好な特性を安定に得ることが可能であった。

請求項（抜粋）：

第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた配向制御層と、前記配向制御層上に設けられた強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜上に設けられた第2の電極とを具備することを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (12件)：

H01L 41/09 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/84 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  C23C 14/08

FI (10件)：

H01L 21/316 Y ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/84 Z ,  C23C 14/08 K ,  H01L 41/08 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 A

Fターム (41件)：

4K029AA06 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4M112AA02 ,  4M112BA10 ,  4M112CA23 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA09 ,  4M112DA11 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA12 ,  5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD18 ,  5F058BF12 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22