特許
J-GLOBAL ID：200903020878588645
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-272537
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131326
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 入出力段回路におけるトランジスタゲート酸化膜破壊を防止し、高速性及び高信頼性を共に満足させることが可能な半導体装置を提供する【構成】 ドレイン端子Dが出力端子TOUT に接続された出力段トランジスタQ11、Q12を有する半導体装置において、出力端子TOUT にドレイン端子D及びゲート端子Gが共通接続され、第2の端子Sが出力段トランジスタQ11、Q12のゲート端子Gに接続されるとともに、当該半導体装置の動作電源電圧VCCよりも高いしきい値電圧Vthを有する保護用トランジスタQ1 、Q2 を備える。また、ドレイン端子及びソース端子を有し、ゲート端子が入力端子に接続された入力段トランジスタを有する半導体装置において、入力端子にゲート端子及びドレイン端子が共通接続され、ソース端子が入力段トランジスタのドレイン端子に接続された保護用トランジスタを備える。
請求項（抜粋）：
第1の端子(D)が出力端子(TOUT )に接続された出力段トランジスタ(Q11、Q12)を有する半導体装置において、前記出力端子(TOUT )に第1の端子(D)及び制御端子(G)が共通接続され、第2の端子(S)が前記出力段トランジスタ(Q11、Q12)の制御端子(G)に接続されるとともに、当該半導体装置の動作電源電圧(VCC)よりも高いしきい値電圧(Vth)を有する保護用トランジスタ(Q1 、Q2 )を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H03K 19/003
, H01L 23/62
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/06
, H03K 17/00
, H03K 17/04
, H03K 17/08
, H03K 17/687
H01L 23/56 A
, H01L 27/04 H
, H01L 27/06 311 C
, H03K 17/687 Z
