不揮発性半導体記憶装置、並びにデータ書き込み方法およびデータ読み出し方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094971
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285692
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】既に書き込まれたセルよりソース線側にあるメモリセルを書き込んだ場合に生じるメモリセルのしきい値のばらつきによる読み出し時のセル電流のばらつきを小さくできる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】書き込みベリファイ時に、選択メモリセルの制御ゲートが接続された選択ワード線に印加する電圧を、ベリファイを行うメモリセルのストリング内の位置(アドレス)に応じて変化(ソース線に近いメモリセルが接続されたワード線ほど高く、ビット線側に近づくに従い漸次低く設定)させる電圧制御回路13を設ける。これにより、メモリストリング内の直列に接続にされたメモリセル間の特性のバラツキを低減できる。したがって、誤動作の発生を抑止することができ、一つのメモリセルに2ビット以上の情報を蓄える多値の記憶装置としても適した品質の高い不揮発性半導体記憶装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

ワード線、ビット線への印加電圧に応じて電荷蓄積部に蓄積された電荷量が変化し、その変化に応じてしきい値電圧が変化し、しきい値電圧に応じた値のデータを記憶するメモリセルが複数個接続されたメモリストリングを有し、当該メモリストリングの一端側および他端がゲート電圧に応じて導通状態が制御される選択トランジスタを介して上記ビット線およびソース線に接続され、ストリング内のメモリセルの制御ゲートが異なるワード線に接続され、データの書き込み時に、選択ワード線にベリファイ電圧を印加し、非選択ワード線に当該非選択ワード線に接続された非選択メモリセルが導通状態となる電圧を印加して、選択メモリセルのしきい値電圧が書き込みしきい値に達したか否かを判定する書き込みベリファイを行う不揮発性半導体記憶装置であって、上記書き込みベリファイ時に、メモリセルの書き込み後のしきい値電圧が隣り合うメモリセルと異なる値となるように、上記選択ワード線に印加するベリファイ電圧を、ストリング内のワード線それぞれに対して変化させる電圧制御手段を有する不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 , G11C 16/02 , G11C 16/04

FI (8件)：

G11C 17/00 633 D , G11C 17/00 611 A , G11C 17/00 611 E , G11C 17/00 621 B , G11C 17/00 622 E , G11C 17/00 633 B , G11C 17/00 633 C , G11C 17/00 641

Fターム (9件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD03 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD09 , 5B025AE00 , 5B025AE08

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