特許
J-GLOBAL ID:200903020879806115
半導体装置の製造方法および半導体装置並びに集合基板
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 稔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-027938
公開番号(公開出願番号):特開2002-231742
出願日: 2001年02月05日
公開日(公表日): 2002年08月16日
要約:
【要約】【課題】 製造時間の短縮化を図りつつ、電子部品に対するモールド体の形成位置のずれを抑えた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 長矩形状の集合基板20の表面に複数の発光素子11等を縦横に配列させて実装する工程と、所定の金型18,19を用いて発光素子11等を封止するモールド体3を形成する工程と、集合基板20を各モールド体3に対応させて切断して赤外線データ通信モジュール1とする工程とを有し、集合基板20には、長手方向に所定の領域に分割し、隣り合う分割領域21の間に、それらを連結するための変形可能な連結部22を有するものを用い、モールド体3を形成する工程では、集合基板20を分割領域21ごとに金型18,19に対して位置決めする。
請求項(抜粋):
長矩形状の基板の表面に複数の電子部品を縦横に配列させて実装する工程と、所定の金型を用いて上記各電子部品を封止するモールド体を形成する工程と、上記基板を上記各モールド体に対応させて切断して半導体装置とする工程とを有する半導体装置の製造方法であって、上記基板には、長手方向に所定の領域に分割し、隣り合う分割領域の間に、それらを連結するための変形可能な連結部を有するものを用い、上記モールド体を形成する工程では、上記基板を上記分割領域ごとに上記金型に対して位置決めすることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/56
, H01L 33/00
, H01L 31/02
FI (4件):
H01L 21/56 T
, H01L 21/56 J
, H01L 33/00 N
, H01L 31/02 B
Fターム (12件):
5F041DA07
, 5F041DA20
, 5F041DA44
, 5F041FF14
, 5F061AA01
, 5F061BA04
, 5F061CA21
, 5F088AA03
, 5F088JA03
, 5F088JA06
, 5F088JA10
, 5F088LA01
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