特許

J-GLOBAL ID：200903020880378925

ゲート絶縁膜の形成方法

発明者： 片岡 豊隆 ,  齋藤 正樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-403168
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203961
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜を通してボロン原子がシリコン半導体基板へ拡散することを防止するために、ゲート絶縁膜をシリコン酸化膜と窒化シリコン膜の積層型とする場合に、水素のゲート絶縁膜への拡散も防止し、ゲート絶縁膜の信頼性を向上させる。【解決手段】 シリコン酸化膜42と窒化シリコン膜43の積層型ゲート絶縁膜44を、(A1)半導体層(シリコンウエハ40)の表面にシリコン酸化膜42を形成する工程、及び(A2)水素非含有シリコン化合物ガスと、窒素ガス又は水素非含有窒素化合物ガスとの混合ガスに電磁波を照射することにより、前記シリコン酸化膜42上に窒化シリコン膜43を積層する工程、から形成する。

請求項（抜粋）：

(A1)半導体層の表面にシリコン酸化膜を形成する工程、及び(A2)水素非含有シリコン化合物ガスと、窒素ガス又は水素非含有窒素化合物ガスとの混合ガスに電磁波を照射することにより、前記シリコン酸化膜上に窒化シリコン膜を積層する工程、からなるシリコン酸化膜と窒化シリコン膜の積層型ゲート絶縁膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (7件)：

C23C 16/42 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (54件)：

4K030AA03 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F040DC01 ,  5F040DC07 ,  5F040DC08 ,  5F040DC09 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040ED01 ,  5F040ED05 ,  5F040EF02 ,  5F040EK01 ,  5F040EK02 ,  5F040FA03 ,  5F040FB04 ,  5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045DC51 ,  5F045DP03 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F045EH03 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF08 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BF75 ,  5F058BJ10