特許

J-GLOBAL ID：200903020884253221

半導体レーザ

発明者： 阿部 博明 ,  三ッ谷 真司
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-022367
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220215
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 回折格子を有し、安定した単一モード発振が得られ、製造が容易で製造歩留まりが高い半導体レーザを提供する。【解決手段】 この半導体レーザは、半導体基板12上に、下部クラッド層13と、活性層14と、上部クラッド層15と、コンタクト層16と、電流通路を成すストライプ溝19を有する電流ストップ層17と、電極層18とを順次積層し、底部が上部クラッド層15に至る断面四角形状の複数の凹部20をそれぞれストライプ溝方向に所定間隔あけて並設する一方、凹部20の並設列の中央部に凹部が形成されていない領域23を設けたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、コンタクト層と、電流通路を成すストライプ溝を有する電流ストップ層と、電極層とを順次積層し、底部が前記上部クラッド層に至る断面四角形状の複数の凹部をそれぞれ前記ストライプ溝方向に所定間隔あけて並設する一方、該凹部の並設列の中央部領域には前記凹部を形成せず、かつ複数の凹部が形成されていない前記中央部領域の長さL1が次式:L1=π/(2△β)(ここに式中、△βは、前記凹部が並設された領域における光の伝搬定数をβ1とし、複数の凹部が形成されていない前記中央部領域における光の伝搬定数をβ2としたときのβ1とβ2との差の絶対値■β1-β2■を表す。)で表されることを特徴とする半導体レーザ。