半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：飯田伸行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-142253
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068123
出願日： 1998年05月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】パワー・ダイオードは高寿命と低寿命の半導体領域を有する。高周波動作において、低寿命材料が好ましいが、好ましくない過渡電流と電圧スパイクを生じさせる。【解決手段】異なる寿命の材料の領域がダイオードのpn結合に平行な方向に分離して形成され、ある形態において、これらはpn結合に交差するように配置されている。好ましくない過渡信号を減少させるところの異なる電圧/電流トランスファー特性を得るためのいくつかの形態が記載されている。【効果】小さいオン状態(すなわち、通電状態)損失と、迅速だがソフトな(すなわち、非スナッピー)リカバリー特性との良好な組合わせを有するように組立てることができる。

請求項（抜粋）：

プレーナーpn結合を有する半導体装置であって、そのpn結合の近傍に複数の半導体材料の領域が形成され、これらの領域は上記結合に実質的に平行な方向に分離し、これらの領域の少なくとも1つの領域は第1の少数キャリア寿命を有し、この第1の少数キャリア寿命は他の領域の第2の少数キャリア寿命より実質的に短く、より大きい寿命領域の最大横断寸法が該領域内の少数キャリア拡散長の2倍より小さいことを特徴とする半導体装置。

前のページに戻る