特許

J-GLOBAL ID：200903020886349722

低損失酸化物磁性材料の製造方法

発明者： 千葉 哲義
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-216537
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041315
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 周波数が200kHz 以上の高い周波数で使用しても鉄損を小さくできる低損失酸化物磁性材料を製造する方法を提供する。【構成】 主成分である酸化第二鉄(Fe2 O3 ),一酸化マンガン(MnO)及び酸化亜鉛(ZnO)の一部と,副成分である二酸化ケイ素(SiO2 )及び酸化カルシウム(CaO)とを予め低温で焼成する。得られた共晶化合物を残りの主成分を含む原料粉末に添加し,更に,添加物として酸化ハフニウム(HfO2 )及び酸化ジルコニウム(ZrO2 )を添加する。これらの混合粉末を粉末冶金法によって,低損失酸化物磁性材料を製造する。この低損失酸化物磁性材料は,30〜42モル%の一酸化マンガン(MnO),4〜19モル%の酸化亜鉛(ZnO),及び残部として酸化第二鉄(Fe2 O3 )を主成分として含む。

請求項（抜粋）：

30〜42モル%の一酸化マンガン(MnO),4〜19モル%の酸化亜鉛(ZnO),及び残部として酸化第二鉄(Fe2 O3)を主成分とし,副成分として,0.020〜0.150重量%の酸化カルシウム(CaO)及び0.005〜0.100重量%の二酸化ケイ素(SiO2 )を含む材料に添加物として酸化ハフニウム(HfO2 )及び酸化ジルコニウム(ZrO2 )を含む低損失酸化物磁性材料を粉末冶金法によって製造する方法において,酸化第二鉄(Fe2 O3 ),一酸化マンガン(MnO),酸化亜鉛(ZnO),二酸化ケイ素(SiO2 )及び酸化カルシウム(CaO)を予め低温で焼成し,これらの共晶化合物を添加することを特徴とする低損失酸化物磁性材料の製造方法。