特許

J-GLOBAL ID：200903020899193780

無機多孔体、及びその製造方法

発明者： 高濱 孝一 ,  佐古 利治 ,  溝渕 学 ,  中川 尚治
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-062927
公開番号（公開出願番号）：特開平7-267629
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：

【要約】【目的】 酸化性能の高い無機多孔体、及びその製造方法を提供することにある。【構成】 無機多孔体は、膨潤性層状化合物1の層間1aに光半導体性を示す無機ピラー材2が担持されている無機多孔体であって、上記無機ピラー材2に三酸化クロム、三酸化タングステン、及び、三酸化モリブデンのうち少なくとも1種以上の酸化物2aがドープされている。製造方法は、三酸化クロム、三酸化タングステン、及び、三酸化モリブデンのうち少なくとも1種以上の酸化物2aをドープした、光半導体性を示す無機ピラー材2が担持された、膨潤状態にある膨潤性層状化合物1を乾燥する。

請求項（抜粋）：

膨潤性層状化合物の層間に光半導体性を示す無機ピラー材が担持されている無機多孔体であって、上記無機ピラー材に三酸化クロム、三酸化タングステン、及び、三酸化モリブデンのうち少なくとも1種以上の酸化物がドープされていることを特徴とする無機多孔体。

IPC (6件)：

C01B 39/02 ,  B01D 53/86 ZAB ,  B01J 29/70 ,  B01J 29/74 ,  B01J 29/76 ,  B01J 35/02

FI (2件)：

B01D 53/36 ZAB J ,  B01D 53/36 ZAB C