特許
J-GLOBAL ID：200903020903001492
液晶表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-187909
公開番号（公開出願番号）：特開平6-034998
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 開口率の向上と画素部の微細化を実現し高輝度で高精細な表示品位の高い投射型液晶表示装置を、簡易な構成で低廉に提供する。【構成】 多結晶シリコンからなる活性層19を有する画素部TFT17を用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置において、信号配線3が透明基板1上に形成され、画素部TFT17が前記の信号配線3上に第1の層間絶縁層5を介して形成されたことを特徴とする液晶表示装置であって、透明基板1界面での反射光などを信号配線3が遮光して光リーク電流を避けるとともに、画素部TFT17と信号配線3とが平面的にオーバーラップする面積に相当する画素部の開口率を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
走査配線および信号配線と、前記走査配線および前記信号配線に接続された多結晶シリコンを活性層に有する薄膜トランジスタ素子と、前記薄膜トランジスタ素子に接続される画素電極とを透明基板の主面上に有する薄膜トランジスタ素子基板と、前記薄膜トランジスタ素子基板に対向配置される対向電極を有する対向基板と、前記薄膜トランジスタ素子基板と前記対向基板との間に封入される液晶組成物とを有する液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタ素子が前記信号配線上に絶縁層を介して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, H01L 29/784
