特許
J-GLOBAL ID：200903020909188365
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-055873
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234560
出願日： 1991年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 2重かつ逆方向にビームを曲げることによって分析能を高め、純度の高いイオン注入を可能ならしめる。【構成】 イオン源1から引き出されたイオン2を分析磁石により質量分析して、注入すべきイオンを出射する構成において、イオンビームを曲げて質量分析を行う第1の分析磁石3Aと、この第1の分析磁石とは逆の向きにイオンビームを曲げて質量分析を行う第2の分析磁石3Bとを少なくとも有する。
請求項（抜粋）：
イオン源から引き出されたイオンを分析磁石により質量分析して、注入すべきイオンを出射する構成としたイオン注入装置において、イオンビームを曲げて質量分析を行う第1の分析磁石と、この第1の分析磁石とは逆の向きにイオンビームを曲げて質量分析を行う第2の分析磁石とを少なくとも有することを特徴とするイオン注入装置。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01L 21/265
