特許

J-GLOBAL ID：200903020914382340

ナノチューブを含むナノ構造の生成のための連続処理

発明者： ハート, アナスタシオス ジョン ,  スローカム, アレクサンダー ヘンリー ,  ウォードル, ブライアン エル. ,  ガルシア, エンリケ ジェイ.
出願人/特許権者： マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-511087
公開番号（公開出願番号）：特表2009-537439
出願日： 2007年05月18日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

本発明は、ナノ構造の長軸が実質的に整列され得る、基板の表面にナノチューブ(例えば、カーボンナノチューブ)等のナノ構造を均一に成長させるための方法を提供する。ナノ構造は、複合材料等の種種の用途に使用するためにさらに処理できる。例えば、一組の整列したナノ構造は、材料の特性を強化するために、バルク形成または別の表面に形成され、別の材料へ転写できる。場合によっては、ナノ構造は、例えば、2つの材料または層の間にある界面に機械的補強を与える等、材料の機械的性質を強化できる。場合によっては、ナノ構造は、材料の温度特性および/または電子特性を強化できる。本発明は、バッチ処理および連続処理を含む、ナノ構造を成長させるためのシステムおよび方法も提供する。

請求項（抜粋）：

ナノ構造を成長させる方法であって、 触媒材料を含む表面を成長基板に提供することと、 該表面上に触媒によるナノ構造の形成を引き起こすように選択される一組の条件に、該成長基板の第1の部分を曝すことと、 該一組の条件に該成長基板の第1の部分を曝している間に、該成長基板の表面の第2の部分から該ナノ構造を除去することと、 該成長基板によって、該曝す動作と除去する動作とを、少なくとも1回繰り返すことと を含む、方法。

IPC (4件)：

C01B 31/02 ,  H01L 29/06 ,  B82B 3/00 ,  D01F 9/127

FI (4件)：

C01B31/02 101F ,  H01L29/06 601N ,  B82B3/00 ,  D01F9/127

Fターム (29件)：

4G146AA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC15 ,  4G146BC18 ,  4G146BC23 ,  4G146BC24 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC34A ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA29 ,  4G146DA30 ,  4G146DA32 ,  4G146DA45 ,  4G146DA47 ,  4L037CS03 ,  4L037FA02 ,  4L037FA20 ,  4L037PA02 ,  4L037PA12 ,  4L037PA21 ,  4L037PA28 ,  4L037UA12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• カーボンナノチューブを用いた導電性材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-152221   出願人：日立造船株式会社, 中山喜萬