特許

J-GLOBAL ID：200903020915434785

光電変換装置

発明者： 新楽 浩一郎 ,  上田 洋士 ,  吉田 裕章
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-162229
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058356
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 製造工程を増やすことなく静電気耐圧を向上させる光電変換装置を提供すること。【構成】 基体1上に第1電極層2、少なくともp型半導体層を含む複数層から成る非晶質半導体層3、及び第2電極層4を順次積層した光電変換装置であって、p型半導体層中のアクセプタ濃度をNA (個/cm3 ) とし、p型半導体層の層厚をLP (cm) とした場合に、NA ×LP ≦3 ×1013となることを特徴とする光電変換装置。

請求項（抜粋）：

基体上に第1電極層、少なくともp型半導体層を含む複数層から成る非晶質半導体層、及び第2電極層を順次積層した光電変換装置であって、前記p型半導体層中のアクセプタ濃度をNA (個/cm3 ) 、p型半導体層の層厚をLP (cm) とした場合、NA ×LP ≦3 ×1013となることを特徴とする光電変換装置。

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平3-222373
  
• 特開平3-220780
  
• 特開平4-111474
  
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016759   出願人：京セラ株式会社
• 光センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-014746   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭60-128661
  
• 特開昭59-232456