特許
J-GLOBAL ID：200903020916118755
化合物半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211075
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031502
出願日： 2001年07月11日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 基板全面に半導体結晶をエピタキシャル成長させることが可能で、かつサセプタへの基板のセット作業が容易な化合物半導体製造装置を提供する。【解決手段】 表面に半導体結晶を成長させる基板1を収容する貫通穴12が形成されたサセプタ10と、このサセプタ10に設けられ上記貫通穴12に収容された上記基板1を保持する基板保持手段と、上記基板1上に重ねられて上記基板1と共に上記貫通穴12に収容され上記基板表面温度を均一にする均熱手段とを有する化合物半導体製造装置において、上記均熱手段は吸引孔22が形成された均熱板20からなり、上記基板保持手段は、上記吸引孔22を通して上記基板1を上記均熱板20に吸着させることにより保持する吸引機構からなる。
請求項（抜粋）：
表面に半導体結晶を成長させる基板を収容する貫通穴が形成されたサセプタと、該サセプタに設けられ上記貫通穴に収容された上記基板を保持する基板保持手段と、上記基板上に重ねられて上記基板と共に上記貫通穴に収容され上記基板表面温度を均一にする均熱手段とを有する化合物半導体製造装置において、上記均熱手段は吸引孔が形成された均熱板からなり、上記基板保持手段は、上記吸引孔を通して上記基板を上記均熱板に吸着させることにより保持する吸引機構からなることを特徴とする化合物半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 B
4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030KA24
, 4K030LA12
, 5F045BB01
, 5F045BB10
, 5F045EK21
, 5F045EM04
, 5F045EM09
