特許

J-GLOBAL ID：200903020918785260

半導体の製造方法及び半導体装置

発明者： 中田 眞佐美 ,  島田 智晴 ,  井上 洋典 ,  鈴木 誉也 ,  安藤 敏夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  国際電気株式会社
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-339675
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177956
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】回路設計上に制約を生じさせることなく、半導体基板上に選択成長させた半導体膜の端部を、当該端部と隣接する絶縁膜の側面に這い上がらせる。【解決手段】化学気相堆積法を用いて、表面の一部が絶縁膜102で覆われた半導体基板100の、絶縁膜102で覆われていない領域上に、シリコン膜101を選択成長させる。原料ガスとして、モノシラン、あるいはジシランと、塩酸、塩素等のエッチング種との混合ガスを用い、反応圧力1Torr〜200Torr、反応雰囲気中の水分分圧比10-8〜10-4、温度400°C〜700°Cという条件下において、シリコン膜101を選択成長させることで、シリコン膜101の絶縁膜102と隣接する部分の表面を(311)面とする。

請求項（抜粋）：

化学気相堆積法を用いて、表面の一部が絶縁膜で覆われた半導体基板の、前記絶縁膜で覆われていない領域上に、シリコン膜を選択成長させる半導体装置の製造方法であって、原料ガスとして、モノシラン、あるいはジシランと、塩酸、塩素等のエッチング種との混合ガスを用い、反応圧力1Torr〜200Torr、反応雰囲気中の水分分圧比10-8〜10-4、温度400°C〜700°Cという条件下において、シリコン膜を選択成長させることで、前記シリコン膜の前記絶縁膜と隣接する部分の表面を(311)面としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。