特許

J-GLOBAL ID：200903020920565111

半導体装置およびその製造方法

発明者： 青木 孝明 ,  鈴木 幹昌 ,  黒柳 晃
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-017817
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210821
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 トレンチゲート型トランジスタにおいて、高いゲート耐圧を維持しつつ、しきい値電圧の変動を少なくする。【解決手段】 トレンチ6の内壁に形成されるゲート絶縁膜を、トレンチ6の底部では酸化膜7aと窒化膜7bと酸化膜7cの積層膜で形成し、トレンチ6の側壁部では酸化膜7dのみで形成するようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板(5)の一面に形成されたトレンチ(6)の内壁にゲート絶縁膜(7a〜7d)が形成されてなるトランジスタを有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜(7a〜7d)は、前記トレンチ(6)の側壁部では酸化膜(7d)のみで形成され、前記トレンチ(6)の底部では酸化膜(7a)と窒化膜(7b)と酸化膜(7c)の積層膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652

FI (3件)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 K