特許

J-GLOBAL ID：200903020921919359

半導体のエッチング方法および半導体装置

発明者： スレスチャンドラ・ムルシリアル・オイハ ,  スティーブン・ジョン・クレメンツ
出願人/特許権者： ノーザン・テレコム・リミテッド
代理人 (1件)： 泉 和人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045068
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291093
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 ヘテロ構造化合物半導体をプラズマエッチングする方法を提供する。【構成】 ヘテロ構造化合物半導体の主表面を選択的にマスクし、マスクされたヘテロ構造を、二酸化炭素、亜酸化窒素またはその混合物と共にメタン及び水素の混合物を含む無線周波数プラズマに露出し、それによって、ヘテロ構造化合物半導体のマスクされていない部分を主表面にほぼ垂直な方向に異方性エッチングする方法が提供される。

請求項（抜粋）：

ヘテロ構造化合物半導体の異方性ドライエッチング方法において:ヘテロ構造化合物半導体の主表面を選択的にマスクし、マスクされたヘテロ構造化合物半導体を、二酸化炭素、亜酸化窒素またはその混合物と共にメタン及び水素の混合物を含む無線周波数プラズマに露出し、それによって、ヘテロ構造化合物半導体のマスクされていない部分を主表面にほぼ垂直な方向に異方性エッチングをすることを特徴とする半導体のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 29/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-247033