特許
J-GLOBAL ID：200903020930192852
反応性イオンエッチングによる貫通孔の形成方法及び反応性イオンエッチングにより形成された貫通孔を有する基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
三好 秀和
, 三好 保男
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 高橋 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-315903
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152967
出願日： 2002年10月30日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】反応性イオンエッチングにより基板に貫通孔を開ける際、イオン等のエッチング種を逃がすための導電層を形成する。【解決手段】シリコン基板1の一方の面に前記イオンによるエッチングの保護層である酸化膜3aを形成する。そして、シリコン基板1の他方の面に貫通孔を形成する際にできる余分な空間部分であるノッチの生成を防ぐため、イオンを逃がすための導電層7を形成する。これにより、前記シリコン基板1をエッチングする際、イオンが残留せず適正な貫通孔17が形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板にエッチング種を反応させエッチングを行い貫通孔を形成する、反応性イオンエッチングによる貫通孔の形成方法において、
前記基板の一方の面に、前記エッチング種によるエッチングから基板を保護する保護層を所定の領域に形成する工程と、
前記基板の他方の面の少なくとも貫通孔に係る領域に、エッチングを行う際に生じる前記エッチング種の残留を防ぐ導電層を形成する工程と、
前記基板の一方の面側から前記エッチング種を反応させてエッチングを行い貫通孔を形成する工程と、
を有することを特徴とする反応性イオンエッチングによる貫通孔の形成方法。
IPC (2件)：
H01L21/3065
, H01L21/3205
H01L21/302 101B
, H01L21/88 J
5F004DB01
, 5F004EA23
, 5F004EB08
, 5F033MM30
, 5F033QQ07
, 5F033QQ13
, 5F033QQ33
, 5F033QQ37
