特許

J-GLOBAL ID：200903020934676757

窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法並びに窒化アルミニウム回路基板

発明者： 廣瀬 義幸 ,  後藤 智司 ,  白石 順一 ,  山中 正策
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 小松 秀岳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-090823
公開番号（公開出願番号）：特開平8-290969
出願日： 1995年04月17日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ICの絶縁基板、パッケージ材料などに使用される窒化アルミニウム焼結体の提供。【構成】 窒化アルミニウムに希土類酸化物、アルカリ土類酸化物のいずれかを含有し、その酸化物の元素をMとしたとき、mMO・nAl2O3で表わされる焼結体中の生成物においてn/mが1/2以上の生成物だけからなり、この生成物の焼結体内の体積分率が0.01〜2.5vol%の範囲で、1〜20GHz全域の誘電率が9.0以下、かつ誘電損失が0.015以下であるもの、又、かかる焼結体を用いた回路基板、さらには金属不純物0.1wt%以下の窒化アルミニウム粉末に希土類酸化物、アルカリ土類酸化物のいずれかを0.01〜1.5%混合し、成形し、非酸化物雰囲気中で1500〜2100°Cで焼結する製造方法。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウムを主体とし、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物の少なくともいずれかを含有し、その酸化物の元素をMとした時、mMO・nAl2O3(m,nは整数)で表わされる焼結体中の生成物においてn/mの値が1/2以上の生成物だけからなり、かつ、この生成物の焼結体内の体積分率が0.01〜2.5vol%の組成領域からなるとともに、焼結体の室温における1〜20GHz全域にわたっての誘電率が9.0以下、かつ誘電損失が0.015以下であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。

IPC (3件)：

C04B 35/581 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

C04B 35/58 104 B ,  H05K 1/03 610 E ,  H05K 3/46 H ,  C04B 35/58 104 F