特許

J-GLOBAL ID：200903020945606289

半導体装置の製造方法

発明者： 宮内 正義 ,  田中 篤司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048425
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268060
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板に多数形成された素子を個々に切断分離させるにあたって、素子周縁の破損を防止し、素子の品質向上をはかる。【構成】 半導体基板上に形成された複数の半導体素子を各素子間に設定された切断予定域にて切断を施し個別に分離するにあたり、切断予定域にエッチング液により溝を形成する工程と、回転砥石により前記溝内にこの溝幅よりも狭い幅に切断を施す工程とを経ることを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された複数の半導体素子を各素子間に設定された切断予定域にて切断を施し個別に分離するにあたり、切断予定域にエッチング液により溝を形成する工程と、回転砥石により前記溝内にこの溝幅よりも狭い幅に切断を施す工程とを経ることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/78 ,  H01L 21/76