特許

J-GLOBAL ID：200903020949422751

セラミックス基板上に形成した光導波回路チップの切断方法

発明者： 井本 克之
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128815
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323441
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 高寸法精度で低損失なセラミックス基板上に形成した光導波回路チップの切断方法を提供する。【解決手段】 水や研磨液を用いることがないので、ドライでクリーンな状態で切断することができる。しかもCO2 レーザビーム5-2(10)の照射面の温度が600°C以下に抑えられ、光導波回路2の加工中の温度が200°C以下に抑えられた状態で切断することができるので、光導波回路2へ熱的なダメージを与えない。また、切断した端面は略垂直な端面であるため、端面の研磨が不要である。水や研磨液を用いないのでOH基の混入がない。少なくとも一方向に所望速度で移動するワークテーブル3上に光導波回路が形成された表面側を固定してセラミックス基板1の裏面を加工するので、高寸法精度で再現性よく切断加工を行うことができる。

請求項（抜粋）：

表面に少なくとも光導波回路が形成されたセラミックス基板の裏面の一方の端面にCO2 レーザビームを照射して上記セラミックス基板に熱応力による亀裂を発生させ、該亀裂を上記セラミックス基板の他方の端面まで進展させることによって切断することを特徴とするセラミックス基板上に形成した光導波回路チップの切断方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/00 320 ,  G02B 6/13

FI (3件)：

H01L 21/78 B ,  B23K 26/00 320 E ,  G02B 6/12 M

Fターム (12件)：

2H047KA04 ,  2H047MA05 ,  2H047PA24 ,  2H047QA01 ,  2H047RA08 ,  2H047TA42 ,  2H047TA43 ,  4E068AE01 ,  4E068CA07 ,  4E068CB06 ,  4E068DA11 ,  4E068DB12