特許

J-GLOBAL ID：200903020953867024

オンデマンド結晶構造成長

発明者： アイゼンバーグ,ジョアンナ ,  ハン,ヨン-ジン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (7件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-543455
公開番号（公開出願番号）：特表2009-518260
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

少なくとも1つの結晶化核形成部位が配置された表面を有する基板を備える装置。この装置はさらに、第2の表面を有する第2の基板を備える。第2の表面は、結晶化開始材料をアモルファス状態または初期結晶状態で維持するように構成される。結晶化核形成部位は、結晶化開始材料にある性質を与えるように構成される。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの結晶化核形成部位が配置された表面を有する基板と、 第2の表面を有する第2の基板とを備える装置であって、 前記第2の表面は、結晶化開始材料をアモルファス状態または初期結晶状態で維持するように構成され、 前記結晶化核形成部位は、前記結晶化開始材料にある性質を与えるように構成される、装置。

IPC (4件)：

C30B 35/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (4件)：

C30B35/00 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310L

Fターム (24件)：

4G077AA01 ,  4G077BD01 ,  4G077BD10 ,  4G077CA01 ,  4G077CA09 ,  4G077EG25 ,  4G077HA05 ,  4G077JA03 ,  4G077JA08 ,  4G077JB12 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110HK01 ,  5F110PP36