特許
J-GLOBAL ID:200903020954459531

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 則近 憲佑
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-065769
公開番号(公開出願番号):特開平5-267715
出願日: 1992年03月24日
公開日(公表日): 1993年10月15日
要約:
【要約】【目的】 発光層における電流分布を改善することで側面近傍での発光を抑制し、得られる光の波長の単一化の向上を図り得る半導体発光装置を提供することを目的とする。【構成】 異なる導電型を呈する複数の半導体層を積層し、表裏二つの主面を有して形成され、キャリアが再結合して発した光が前記表面から取り出される発光層と、該発光層の側面近傍に形成された電流阻止層と、前記発光層の表面に電気的に接続され前記発光層の表面の中央部上に形成された第1の電極と、前記発光層の裏面に電気的に接続された第2の電極とを具備することを特徴とする半導体発光装置。
請求項(抜粋):
異なる導電型を呈する複数の半導体層を積層し、表裏二つの主面を有して形成され、キャリアが再結合して発した光が前記表面から取り出される発光層と、該発光層の側面近傍に形成された電流阻止層と、前記発光層の表面に電気的に接続され前記発光層の表面の中央部近傍上に形成された第1の電極と、前記発光層の裏面に電気的に接続された第2の電極とを具備することを特徴とする半導体発光装置。

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