特許

J-GLOBAL ID：200903020955894185

パターン形成方法

発明者： 吉村 俊之 ,  内野 正市 ,  山本 治朗 ,  後藤 康 ,  寺澤 恒男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065912
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261571
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】エッチング耐性を高めると共にパターン変形の小さいポストベーク処理方法を提供する。【解決手段】第1段階としてベーク温度をガラス転移温度以下に設定し、レジスト内の架橋反応により実効的なガラス転移温度を上昇させ。第2段階としてレジストのガラス転移温度以上のベーク温度に上昇させる。

請求項（抜粋）：

被加工基板上にパターン形成材料を形成する工程、上記パターン形成材料に選択的にエネルギ線を照射する工程、現像処理により上記パターン形成材料からなるパターンを形成する工程、上記パターン形成材料の硬化処理を行う工程からなるパターン形成方法において、上記硬化処理中に、異なる温度からなる複数段階の熱処理工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 501

FI (2件)：

H01L 21/30 571 ,  G03F 7/40 501