半導体レーザ装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-232835
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061582
出願日： 1992年08月06日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】リッジ導波路型の半導体レーザ装置のリッジ幅及びリッジ両サイドの上クラッド層厚の制御性を向上できる半導体レーザ装置の製造方法を得る。【構成】半絶縁基板15の第1の主面にドライエッチングによりストライプ状の溝40を形成し、この溝40内部にp型AlGaAs層4aを埋め込み結晶成長して、リッジ導波路型の半導体レーザ装置の光導波路を構成するリッジを形成するようにし、また、リッジ両サイドの上クラッド層の層厚(クラッド層残し厚)をp型AlGaAs層4bの結晶成長層厚により制御するようにした。

請求項（抜粋）：

半絶縁基板の第1の主面にドライエッチングによりストライプ状の溝を形成する工程と、上記溝内部に第1の第1導電型半導体層を埋め込み結晶成長し、さらに上記基板上及び上記第1の第1導電型半導体層上に上記第1の第1導電型半導体層と同じ半導体材料からなる第2の第1導電型半導体層を結晶成長する工程と、上記第2の第1導電型半導体層上に活性層,第1の第2導電型半導体層,及び第2の第2導電型半導体層を順次に結晶成長する工程と、上記第2の第2導電型半導体層上に第1の電極を、上記半絶縁性基板の第2の主面側に上記第1の第1導電型半導体層と電気的に接続された第2の電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

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