特許
J-GLOBAL ID：200903020969102397

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 貴之

伊藤 貴之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-172239
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011891
出願日： 2003年06月17日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】半導体基板にスリップや欠陥を発生させることなく浅いpn接合を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板に素子領域と素子分離領域を形成し、素子領域上にゲート絶縁膜とゲート電極を形成する。ゲート電極をマスクにソース・ドレイン不純物を注入したソース・ドレイン不純物領域を形成する。ソース・ドレイン不純物を拡散させることなく、ソース・ドレイン不純物領域の結晶性を回復させる熱処理を行なう。素子分離領域、シリコン基板とゲート電極の上に層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜では吸収されずにシリコン基板で吸収される光を、層間絶縁膜を介してシリコン基板に照射してシリコン基板を加熱し、ソース・ドレイン不純物を拡散させることなく、ソース・ドレイン不純物を活性化させる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
シリコン基板に素子領域を分離する素子分離領域を形成することと、 前記素子領域の前記シリコン基板上にゲート絶縁膜を成膜することと、 前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成することと、 前記ゲート電極をマスクとしたイオン注入により、前記シリコン基板の表面を含む前記素子領域に、ソース・ドレイン不純物を注入したソース・ドレイン不純物領域を形成することと、 前記ソース・ドレイン不純物を拡散させることなく、前記ソース・ドレイン不純物領域の結晶性を回復させる熱処理を行なうことと、 前記素子分離領域、前記シリコン基板と前記ゲート電極の上に層間絶縁膜を形成することと、 前記層間絶縁膜では吸収されずに前記シリコン基板で吸収される光を、前記層間絶縁膜を介して前記シリコン基板に照射して前記シリコン基板を加熱し、前記ソース・ドレイン不純物を拡散させることなく、前記ソース・ドレイン不純物を活性化させることを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786
FI (9件)：
H01L29/78 301L ,  H01L21/265 602B ,  H01L27/12 E ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321N ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 626C
Fターム (81件)：
5F048AA01 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA09 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F110AA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD14 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN62 ,  5F140AA01 ,  5F140AA13 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140BB16 ,  5F140BC06 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG37 ,  5F140BG44 ,  5F140BG46 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH22 ,  5F140BH39 ,  5F140BH45 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC05 ,  5F140CC06 ,  5F140CC07 ,  5F140CC08 ,  5F140CC09 ,  5F140CC10 ,  5F140CC13 ,  5F140CC16 ,  5F140CF07
引用特許：
審査官引用 (11件)
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