特許
J-GLOBAL ID：200903020972073829

半導体ウェハの処理方法

発明者：
土師 宏

土師 宏 について

, 
有田 潔

有田 潔 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-426849
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191039
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】低コストでプラズマダイシングを実現することができる半導体ウェハの処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体ウェハ1を半導体素子に分割する半導体ウェハの処理において、半導体ウェハ1の裏面1bにシート状の支持部材44を貼り付け、回路形成面1aにマスク層5を形成した後、レーザ光6aをダイシングラインに沿って移動させて半導体素子相互を区分する境界線領域5aのマスク層をレーザ光によって除去してダイシング用のマスクパターンを形成する。そしてマスクパターン形成後の半導体ウェハ1をプラズマ処理することにより半導体ウェハ1の境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子1c毎に分割する。これにより、工程コストの高い複雑な処理工程を行うことなくダイシングマスクを形成することができ、低コストでプラズマダイシングを実現することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が形成された半導体ウェハを半導体素子に分割する半導体ウェハの処理方法であって、 前記半導体ウェハの回路形成面の裏面にシート状の支持部材を貼り付ける支持部材貼付工程と、前記回路形成面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層が形成された半導体ウェハに対してレーザ光を相対的に移動させながら前記マスク層にレーザ光を照射して隣接する半導体素子相互を区分する境界線領域のマスク層を除去するレーザ加工工程と、前記境界線領域のマスク層が除去されかつ前記裏面に支持部材が貼り付けられた状態の半導体ウェハをプラズマ処理することにより前記半導体ウェハの前記境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子毎に分割するプラズマダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
IPC (2件)：
H01L21/301 ,  H01L21/68
FI (3件)：
H01L21/78 S ,  H01L21/68 N ,  H01L21/78 L
Fターム (6件)：
5F031CA02 ,  5F031HA78 ,  5F031MA34 ,  5F031MA37 ,  5F031MA38 ,  5F031PA20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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