特許
J-GLOBAL ID:200903020972527234
光半導体素子モジュール
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
宮田 金雄
, 高瀬 彌平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-091259
公開番号(公開出願番号):特開2004-301873
出願日: 2003年03月28日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
【課題】高密度波長多重伝送システムにおいて送信光の波長を安定化させるために、パッケージに接続された給電線路を介しての熱流入による、半導体素子の波長変化を抑制でき、それによって消費電力を少なくすることのできる光半導体素子モジュールを得る。【解決手段】光半導体素子と、光半導体素子を載置する基板と、基板上で前記光半導体素子の周辺に配置された温度検出素子と、基板を載置した電子冷却素子と、信号端子の設けられた第1の側方壁面、および第1の側方壁面と対向配置された第2の側方壁面を有し、底面に前記電子冷却素子を載置したパッケージと、一端が前記パッケージの第1の側方壁面に接合され、他端が前記基板上面における前記第1の側方壁面側に接合された給電線路とを備えて、半導体素子を、第1の側方壁面よりも第2の側方壁面の方に近くなるように配置した。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
光半導体素子と、
前記光半導体素子を載置する基板と、
前記基板上で前記光半導体素子の周辺に配置された温度検出素子と、
前記基板を載置した電子冷却素子と、
電気信号端子の設けられた第1の側方壁面、および第1の側方壁面と対向配置された第2の側方壁面を有し、底面に前記電子冷却素子を載置したパッケージと、
一端が前記パッケージの第1の側方壁面に接合され、他端が前記基板上面における前記第1の側方壁面側に接合されて、前記電気信号端子と前記光半導体素子とを電気的に接続する給電線路とを備え、
前記光半導体素子は、前記第1の側方壁面よりも前記第2の側方壁面の方に近くなるように配置されたことを特徴とする光半導体素子モジュール。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (19件):
2H037BA03
, 2H037BA12
, 2H037BA32
, 2H037CA13
, 2H037DA03
, 2H037DA04
, 2H037DA05
, 2H037DA06
, 2H037DA11
, 2H037DA38
, 5F073AB28
, 5F073BA01
, 5F073FA04
, 5F073FA07
, 5F073FA23
, 5F073FA25
, 5F073GA12
, 5F073GA14
, 5F073GA23
引用特許:
審査官引用 (2件)
-
光モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-138289
出願人:三菱電機株式会社
-
レーザダイオードモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-059463
出願人:三菱電機株式会社
前のページに戻る