特許
J-GLOBAL ID:200903020974493078

液晶素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 近島 一夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-217850
公開番号(公開出願番号):特開平9-061830
出願日: 1995年08月25日
公開日(公表日): 1997年03月07日
要約:
【要約】【課題】十分な接着剤ビースの接着強度が得られず、また、液晶セル用シ-ル剤の硬化処理に長時間を要する。【解決手段】一対の電極基板1a,1bに緩衝材2a,2b、ヒートプレート3a,3bを介して発熱体4を取り付け、発熱体4の発熱をヒートプレート3a,3b、緩衝材2a,2bを介して一対の電極基板1a,1bに伝熱し、電極基板1a,1bを1.0 〜4.0 °C/min の昇温速度で加熱して液晶セル用シ-ル剤7及び接着剤ビース8を硬化させる。
請求項(抜粋):
液晶がその間に注入される対向する一対の電極基板の貼り合わせ面に、前記一対の電極基板とそれ自身とで前記液晶を封入する液晶セル用シール剤、及び前記一対の電極基板を接着する接着剤ビースを取り付けて前記一対の電極基板を貼り合わせ、前記一対の電極基板を加熱、加圧して前記液晶セル用シール剤及び接着剤ビースを硬化させる硬化工程を少なくとも有する液晶素子の製造方法において、前記硬化工程にて、前記一対の電極基板に発熱体を取り付け、前記発熱体の発熱により前記一対の電極基板を1.0 〜4.0 °C/min の昇温速度で加熱して前記接着剤ビースを硬化させる、ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
IPC (2件):
G02F 1/1339 505 ,  G02F 1/13 101
FI (2件):
G02F 1/1339 505 ,  G02F 1/13 101

前のページに戻る