特許

J-GLOBAL ID：200903020980807068

ランガサイト系単結晶の作製方法及び作製装置並びにその単結晶を用いた燃焼圧センサ

発明者： 干川 圭吾 ,  太子 敏則 ,  林 貴之 ,  高橋 和生 ,  曽我 嘉彦 ,  須藤 亜木 ,  我山 史弘 ,  美斎津 剛 ,  薩田 等志 ,  赤星 豪一
出願人/特許権者： 国立大学法人信州大学 ,  シチズンファインテック株式会社
代理人 (1件)： 下田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-354972
公開番号（公開出願番号）：特開2008-162854
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】ランガサイト系単結晶を用いて燃焼圧センサ等に用いた際におけるドリフトの発生問題を解消し、検出精度,安定性及び信頼性を飛躍的に高める方法を提供する。【解決手段】垂直方向に温度勾配を有する加熱環境下における不活性ガス雰囲気中に坩堝部を配し、この坩堝部に種結晶を充填するとともに、この種結晶の上に原料を充填し、種結晶の一部及び原料を加熱融解させた後、坩堝部を少なくとも垂直方向に移動させてランガサイト系単結晶を作製するに際し、加熱環境をカーボン発熱体部を用いて生成し、かつこの加熱環境に不活性ガスを供給して不活性ガスが略100〔%〕となる不活性ガス雰囲気を生成するとともに、この不活性ガス雰囲気中に坩堝部を配し、175〔°C〕の温度環境下における電気抵抗率が1012〔Ωcm〕以上となるランガサイト系単結晶を作製する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

垂直方向に温度勾配を有する加熱環境下における不活性ガス雰囲気中に坩堝部を配し、この坩堝部に種結晶を充填するとともに、この種結晶の上に原料を充填し、前記種結晶の一部及び前記原料を加熱融解させた後、前記坩堝部を少なくとも垂直方向に移動させてランガサイト系単結晶を作製するランガサイト系単結晶の作製方法において、前記加熱環境をカーボン発熱体部を用いて生成し、かつこの加熱環境に不活性ガスを供給して不活性ガスが略100〔%〕となる不活性ガス雰囲気を生成するとともに、この不活性ガス雰囲気中に前記坩堝部を配することにより、少なくとも175〔°C〕の温度環境下における電気抵抗率が1012〔Ωcm〕以上となるランガサイト系単結晶を作製することを特徴とするランガサイト系単結晶の作製方法。

IPC (5件)：

C30B 29/30 ,  C30B 11/00 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (5件)：

C30B29/30 B ,  C30B11/00 Z ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/22 A

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077AB06 ,  4G077BC36 ,  4G077CD02 ,  4G077EA06 ,  4G077EG02 ,  4G077EH08 ,  4G077HA11 ,  4G077MA02 ,  4G077MB04 ,  4G077MB22 ,  4G077MB35

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-024937   出願人：三菱マテリアル株式会社