特許

J-GLOBAL ID：200903020983785944

MIMキャパシタ及びその製造方法

発明者： 矢嶋 孝太郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-188764
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022083
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 高集積化したMIMキャパシタにおいて、誘電体膜のダメージや薄膜化に起因する絶縁耐圧の低下を防止したMIMキャパシタを提供する。【解決手段】 第2電極の端部において、第2電極とその周辺部の誘電体膜の露出表面との間を絶縁化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1電極と、該第1電極を覆うように形成された誘電体膜と、該誘電体膜を覆うように形成された第2電極材料層を所定の形状にドライエッチングして形成した第2電極とからなり、該第1電極上に該誘電体膜を介して該第2電極が積層され、該第2電極材料のドライエッチングにより該第2電極周辺に該誘電体膜の表面が露出したキャパシタであって、上記第2電極とドライエッチングにより露出した上記誘電体膜の露出表面との間が、絶縁されてなることを特徴とするMIMキャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G02F 1/136 510 ,  H01G 4/33

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  G02F 1/136 510 ,  H01G 4/06 102

Fターム (25件)：

2H092JA03 ,  2H092JA12 ,  2H092JB66 ,  5E082AB03 ,  5E082BC35 ,  5E082EE05 ,  5E082EE18 ,  5E082EE23 ,  5E082EE24 ,  5E082EE26 ,  5E082EE37 ,  5E082EE41 ,  5E082EE47 ,  5E082FG03 ,  5E082FG22 ,  5E082FG42 ,  5E082HH43 ,  5E082KK01 ,  5E082LL02 ,  5E082LL35 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20