ガラスレティクルの加熱方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135207
公開番号（公開出願番号）：特開2000-321755
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】化学増幅系レジストを表面に塗布したガラスレティクルを高速かつ均一に加熱することを可能にし、半導体装置の配線パターン等の原画となるレティクルパターンの高い寸法精度を確保すること。【解決手段】ガラスレティクル4を上下方向から加熱プレート15,16で挟み込んで近接加熱を行なう構成において、ガラスレティクル4と加熱プレート15,16との対向面間間隙18,19の間隙長をガラスレティクル4の厚みの1/10以下に設定する。また、加熱プレート15,16はそれぞれの内部に複数の加熱ヒータ21,22を埋め込んで構成し、これら複数の加熱ヒータを互いに異なる条件で加熱制御する。【効果】ガラスレティクルを高速かつ均一に加熱することができるため、配線パターンの原画となるレティクルパターンの高い寸法精度を確保できる。

請求項（抜粋）：

上面にレジスト材を塗布してなるガラスレティクルの上側に上部加熱プレートを上記ガラスレティクルの下側に下部加熱プレートをそれぞれ間隙をおいて配置し、上記両加熱プレートを加熱することにより上記ガラスレティクルを加熱する方法において、上記上部加熱プレートと上記ガラスレティクルとの間の間隙長を上記ガラスレティクルの厚みの1/10以下に設定してなることを特徴とするガラスレティクルの加熱方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G03F 7/38 511 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 Z , G03F 7/38 511 , H01L 21/30 568

Fターム (15件)：

2H095BA01 , 2H095BB01 , 2H095BB10 , 2H095BB14 , 2H095BB18 , 2H095BB38 , 2H096AA25 , 2H096EA06 , 2H096FA01 , 2H096GB03 , 5F046AA09 , 5F046AA25 , 5F046DB02 , 5F046DC03 , 5F046KA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

基板加熱装置、基板加熱方法および半導体集積回路装置、フォトマスクならびに液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-331411 出願人：ソニー株式会社
特開平4-181717
加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-132002 出願人：沖電気工業株式会社

全件表示

前のページに戻る