特許
J-GLOBAL ID：200903020987364048
微細パターンの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272345
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112126
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 高精細、高密度の微細パターン膜を安価に信頼性良く量産することのできる微細パターンの製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 絶縁性基板2上に所定形状のパターン電極層3を形成してマスター基板1を作製するマスター基板作製工程と、マスター基板1上に撥水性薄膜からなる剥離層4を形成する剥離層形成工程と、剥離層4上に電着法にて微細パターン膜5を形成する微細パターン形成工程と、微細パターン膜5に40°C〜90°Cの温水を含浸させる含水工程と、マスター基板1上の温水を含浸した微細パターン膜5を被転写基板7に密着させ、この微細パターン膜5をマスター基板1から剥離させて被転写基板7に転写する剥離転写工程とを備えた微細パターンの製造方法とする。
請求項（抜粋）：
基板上に所定形状のパターン電極層を形成してマスター基板を作製するマスター基板作製工程と、前記マスター基板上に撥水性薄膜からなる剥離層を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層上に電着法にて微細パターン膜を形成する微細パターン形成工程と、前記微細パターン膜に40°C〜90°Cの温水を含浸させる含水工程と、前記マスター基板上の温水を含浸した前記微細パターン膜を被転写基板に密着させ、この微細パターン膜を前記マスター基板から剥離させて前記被転写基板に転写する剥離転写工程とを備えたことを特徴とする微細パターンの製造方法。
IPC (7件)：
H05K 3/06
, G02F 1/1335 505
, G02F 1/1345
, H01L 21/3205
, H05K 3/18
, G02B 5/20 101
, H01L 21/60
H05K 3/06 E
, G02F 1/1335 505
, G02F 1/1345
, H05K 3/18 D
, G02B 5/20 101
, H01L 21/88 B
, H01L 21/92 604 F
