特許

J-GLOBAL ID：200903020988212152

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 平本 清久 ,  佐川 みすず ,  土屋 朋信 ,  豊中 隆司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046724
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263787
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 GaAs基板に形成され、少なくともInGaAs層と基板に格子整合する層を有する半導体レーザにおいて、その素子特性を改善し、信頼性を向上した半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することにある。【構成】 GaAs基板1と、少なくとも該GaAs基板上に上に形成されたInGaAs層3及び基板に格子整合する層から構成され、上記GaAs基板の表面は(0、0、1)面から[1,1,1]方向、又は[-1,-1,1]方向、又は[1,-1,1]方向、又は[-1,1,1]方向に0.7度以下(但し基板に格子整合する層としてInGaAsP層を含む場合には2度以下)傾斜している。【効果】 本発明によりしきい値電流密度が低く、光出力を一定にした時の電流増加率の少ない、信頼性の高い半導体レーザを得ることができる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上の1主面上に形成され、少なくとも光を発生する半導体活性層と該活性層よりも屈折率が小さく且つ禁制帯幅の大きいクラッド層から構成された半導体レーザ装置において、少なくとも上記GaAs基板上に形成されたInGaAs層と上記基板に格子整合する層を有し、且つ上記1主面が(0,0,1)面から[1,1,1]方向、又は[-1,-1,1]方向、又は[1,-1,1]方向、又は[-1,1,1]方向に傾斜角度θ傾斜しており、該傾斜角度θが0<θ<0.7度の範囲であることを特徴とする半導体レーザ装置。但し基板に格子整合するとは、基板との格子定数の差が基板格子定数の0.5%以内であることを特徴とする半導体レーザ装置。