特許
J-GLOBAL ID：200903020999318785
高分子フオトレジスト材料およびフオトリソグラフイー方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222801
公開番号（公開出願番号）：特開平5-005994
出願日： 1991年09月03日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 300 nm以下の深紫外域または電子ビームで露光可能で、1ミクロン以下、好ましくは0.5 ミクロン以下の高解像度を示す、自己現像可能なフォトレジスト材料。【構成】 高分子フォトレジスト材料とそれを用いたフォトリソグラフィー法。光学的に透明な皮膜を形成し、深UV線又は相当する電子ビームに照射すると約1以下の量子収率で崩壊する、次式で示される主鎖を持つ高分子フォトレジスト材料を用いる。【化16】式中、Xは炭素、酸素または硫黄であり、Yは炭素であるか、またはXが硫黄以外の時にはYは硫黄もしくは(S=O)であってもよく、Rはそれぞれ別個に水素、アルキル基またはアリール基である。
請求項（抜粋）：
塗布時点では光学的に透明な高分子材料であり、十分なパワー密度のエネルギー束に曝されると約1以下の量子収率で崩壊する、塗布可能なフォトレジスト材料。
IPC (2件)：
G03F 7/039 501
, H01L 21/027
