特許
J-GLOBAL ID：200903021018999440
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩野入 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-047639
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260381
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 複数のフォトリソグラフィ処理によりレジストパターンを形成する場合に、フォトリソグラフィ処理の数を減少させるレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】 基板または薄膜上にポジレジストを塗布するレジスト塗布工程S1と、該ポジレジストにフォトマスクを用いてマスク露光を行う露光工程と、露光されたポジレジストを現像する現像工程S4からなるフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、露光工程を残膜部分が生じるようなアンダー露光条件によりマスク露光を行う工程S2と、残膜部分が生じないようなジャスト露光条件によるマスク露光を行う工程S3とする。
請求項（抜粋）：
基板または薄膜上にポジレジストを塗布するレジスト塗布工程と、該ポジレジストにフォトマスクを用いてマスク露光を行う露光工程と、露光されたポジレジストを現像する現像工程からなるフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、前記露光工程は、(a)前記ポジレジストに残膜部分が生じるようなアンダー露光条件によりマスク露光を行う工程と、(b)前記アンダー露光条件による露光工程後に、前記ポジレジストに残膜部分が生じないようなジャスト露光条件によるマスク露光を行う工程とからなることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
